IRF7842TRPBF vs IRF7815TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7842TRPBF und IRF7815TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7842TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4070 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRF7815TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5071 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRF7842TRPBF	IRF7815TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	18A (Ta)	5.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5mOhm @ 17A, 10V	43mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.25V @ 250µA	5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	50 nC @ 4.5 V	38 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4500 pF @ 20 V	1647 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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