IRF7853TRPBF vs IRF7842TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7853TRPBF und IRF7842TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7853TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4594 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

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Part B

IRF7842TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4070 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	IRF7853TRPBF	IRF7842TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	18A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	2.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	4500 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	IRF7853	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.3A (Ta)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 8.3A, 10V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V	-
Vgs (Max)	±20V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 25 V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

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