IRF7853TRPBF vs IRF7855TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7853TRPBF und IRF7855TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
39 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Active
-
Base Product Number
IRF7853
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
