IRF7853TRPBF vs IRF7854TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRF7853TRPBF und IRF7854TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7853TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4594 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

+Stückliste Anfrage

Part B

IRF7854TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 6096 Stückzahl
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7853TRPBF	IRF7854TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
Base Product Number	IRF7853	IRF7854
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.3A (Ta)	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 8.3A, 10V	13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 25 V	1620 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

Compare Anfrage