IRF7854TRPBF vs IRF7853TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7853TRPBF und IRF7854TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
Base Product Number
IRF7853
IRF7854
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 25 V
1620 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
