IRF7842TRPBF vs IRF7855TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRF7842TRPBF und IRF7855TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
SOIC-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Ta)
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
5mOhm @ 17A, 10V
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.25V @ 250µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
50 nC @ 4.5 V
39 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4500 pF @ 20 V
1560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
