IRFB3077PBF vs IRFB3207ZPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3077PBF und IRFB3207ZPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3077PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
4658 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB3207ZPBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2271 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB3077PBF IRFB3207ZPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.3mOhm @ 75A, 10V 4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9400 pF @ 50 V 6920 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare Anfrage