IRFB3077PBF vs IRFB38N20DPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3077PBF und IRFB38N20DPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220
TO-220
Beschreibung
IRFB3077 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
75 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
120A (Tc)
43A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
220 nC @ 10 V
91 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
9400 pF @ 50 V
2900 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
370W (Tc)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
