IRFB3206PBF vs IRFB3077PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3077PBF und IRFB3206PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFB3077PBF

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4658 Stückzahl | Internationaler Gleichrichter
IRFB3206PBF

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6622 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-220 TO-220-3
Beschreibung IRFB3077 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 75 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 120A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.3mOhm @ 75A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 220 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9400 pF @ 50 V 6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 370W (Tc) 300W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFB3077PBF IRFB3206PBF

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