IRFB3206PBF vs IRFB3806PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3806PBF und IRFB3206PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220-3
TO-220-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
43A (Tc)
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
15.8mOhm @ 25A, 10V
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 50µA
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
30 nC @ 10 V
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1150 pF @ 50 V
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
71W (Tc)
300W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
