IRFB3307ZPBF vs IRFB3206PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3307ZPBF und IRFB3206PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

IRFB3206PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
6622 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification IRFB3307ZPBF IRFB3206PBF
Part Status Active Active
Series - HEXFET®
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 6540 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 300W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
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