IRFB3206PBF vs IRFB3307ZPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB3307ZPBF und IRFB3206PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220AB
TO-220-3
Beschreibung
IRFB3307 - 12V-300V N-CHANNEL PO
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
ProductStatus
Active
Active
Series
-
HEXFET®
FETType
-
N-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
-
300W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
