IRFB4115PBF vs IRFB4020PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4115PBF und IRFB4020PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4115PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3757 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB4020PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
1864 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFB4115PBF IRFB4020PBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 104A (Tc) 18A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 11mOhm @ 62A, 10V 100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 380W (Tc) 100W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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