IRFB4310ZPBF vs IRFB4115PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4115PBF und IRFB4310ZPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFB4115PBF

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3757 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFB4310ZPBF

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4141 Stückzahl | Internationaler Gleichrichter
Paket TO-220 TO-220-3
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 104A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 11mOhm @ 62A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5270 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 380W (Tc) 250W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFB4115PBF IRFB4310ZPBF

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