IRFB4020PBF vs IRFB4227PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4227PBF und IRFB4020PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO220-3
TO220-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Series
HEXFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
65A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
24mOhm @ 46A, 10V
100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 250µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
98 nC @ 10 V
29 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4600 pF @ 25 V
1200 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
330W (Tc)
100W (Tc)
OperatingTemperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
