IRFB4229PBF vs IRFB4310PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4229PBF und IRFB4310PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB4229PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
2740 Stückzahl
Package
TO-220
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFB4310PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
4639 Stückzahl
Package
TO-220-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFB4229PBF IRFB4310PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 46A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 7670 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 300W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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