IRFB4410ZPBF vs IRFB4019PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4410ZPBF und IRFB4019PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220
TO-220-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
97A (Tc)
17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
9mOhm @ 58A, 10V
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 150µA
4.9V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
120 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4820 pF @ 50 V
800 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
230W (Tc)
80W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
HEXFET®
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