IRFB4615PBF vs IRFB4019PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFB4019PBF und IRFB4615PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220-3
TO-220-3
Beschreibung
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFB4615 - 12V-300V N-CHANNEL PO
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
17A (Tc)
35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
95mOhm @ 10A, 10V
39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4.9V @ 50µA
5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
20 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
800 pF @ 50 V
1750 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
80W (Tc)
144W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
-
HEXFET®
