IRFH7084TRPBF vs IRFH7085TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFH7085TRPBF und IRFH7084TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDSON-8
TDSON-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Series
StrongIRFET™
HEXFET®
Part Status
Not For New Designs
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
100A (Tc)
100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
6V, 10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.7V @ 150µA
3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
190 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
6460 pF @ 25 V
6560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
156W (Tc)
156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
