IRFH7440TRPBF vs IRFH7085TRPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRFH7440TRPBF und IRFH7085TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFH7440TRPBF

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3357 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFH7085TRPBF

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7607 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TDSON-8 TDSON-8
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Series HEXFET®, StrongIRFET™ StrongIRFET™
Part Status Active Not For New Designs
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 85A (Tc) 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.9V @ 100µA 3.7V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4574 pF @ 25 V 6460 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 104W (Tc) 156W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRFH7440TRPBF IRFH7085TRPBF

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