IRFH7914TRPBF vs IRFH7911TR2PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFH7914TRPBF und IRFH7911TR2PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
PQFN-8
VQFN-18
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
15A (Ta), 35A (Tc)
13A, 28A
Rds On(Max) @ Id Vgs
8.7mOhm @ 14A, 10V
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.35V @ 25µA
2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
12nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1160 pF @ 15 V
1060pF @ 15V
Power - Max
-
2.4W, 3.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Vgs(Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
