IRFH7440TRPBF vs IRFH7084TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFH7440TRPBF und IRFH7084TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TDSON-8
TDSON-8
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
85A (Tc)
100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
6V, 10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
1.25mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.9V @ 100µA
3.9V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
138 nC @ 10 V
190 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4574 pF @ 25 V
6560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
