IRFP260NPBF vs IRFP27N60KPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP27N60KPBF und IRFP260NPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP27N60KPBF

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7102 Stückzahl | Vishay Siliconix
IRFP260NPBF

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4174 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-247-3 TO-247
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A (Tc) 50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 16A, 10V 40mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4660 pF @ 25 V 4057 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 500W (Tc) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Vergleichsmodell : IRFP27N60KPBF IRFP260NPBF

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