IRFP360PBF vs IRFP32N50KPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP360PBF und IRFP32N50KPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP360PBF

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3678 Stückzahl | Vishay Siliconix
IRFP32N50KPBF

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4605 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket TO-247-3 TO-247-3
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 400 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 23A (Tc) 32A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 200mOhm @ 14A, 10V 160mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4500 pF @ 25 V 5280 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 460W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFP360PBF IRFP32N50KPBF

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