IRFP3206PBF vs IRFP360PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP360PBF und IRFP3206PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP360PBF

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3678 Stückzahl | Vishay Siliconix
IRFP3206PBF

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1748 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-247-3 TO-247-3
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 400 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 23A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 200mOhm @ 14A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4500 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 280W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Vergleichsmodell : IRFP360PBF IRFP3206PBF

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