IRFP3206PBF vs IRFP32N50KPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFP3206PBF und IRFP32N50KPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247-3
TO-247-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
120A (Tc)
32A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
3mOhm @ 75A, 10V
160mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 150µA
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
170 nC @ 10 V
190 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
6540 pF @ 50 V
5280 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
280W (Tc)
460W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
HEXFET®
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