IRFP32N50KPBF vs IRFP3306PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFP3306PBF und IRFP32N50KPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Series
HEXFET®
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Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRFP3306
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FET Type
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
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Power Dissipation (Max)
220W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type
Through Hole
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Packaging
Tube
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ProductStatus
-
Active
FETType
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N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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32A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
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10V
RdsOn(Max)@IdVgs
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160mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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190 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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5280 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
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460W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
