IRFP3206PBF vs IRFP3306PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFP3306PBF und IRFP3206PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRFP3306
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FET Type
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
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Power Dissipation (Max)
220W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type
Through Hole
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Packaging
Tube
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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170 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
-
280W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
