IRFP3206PBF vs IRFP3710PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP3710PBF und IRFP3206PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP3710PBF

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3244 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFP3206PBF

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1748 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-247-3 TO-247-3
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 57A (Tc) 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 28A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 190 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3000 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 200W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFP3710PBF IRFP3206PBF

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