IRFP4110PBF vs IRFP460A Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP460A und IRFP4110PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP460A

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7403 Stückzahl | Vishay Siliconix
IRFP4110PBF

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4469 Stückzahl | Internationaler Gleichrichter
Paket TO-247-3 TO-247
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 IRFP4110 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 9620 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 370W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Vergleichsmodell : IRFP460A IRFP4110PBF

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