IRFP4227PBF vs IRFP460

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4227PBF und IRFP460 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4227PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2165 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP460

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
6198 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP4227PBF IRFP460
Series HEXFET® PowerMESH™ II
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A (Tc) 18.4A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 25mOhm @ 46A, 10V 270mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 128 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V 2980 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 220W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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