IRFP4227PBF vs IRFP4368PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4368PBF und IRFP4227PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO247
TO247
Beschreibung
IRFP4368 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
75 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
195A (Tc)
65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
1.85mOhm @ 195A, 10V
25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
570 nC @ 10 V
98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
19230 pF @ 50 V
4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
520W (Tc)
330W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
