IRFP4110PBF vs IRFP4368PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4110PBF und IRFP4368PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4110PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
4469 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP4368PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2190 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP4110PBF IRFP4368PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 1.85mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 570 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V 19230 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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