IRFP4368PBF vs IRFP450PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4368PBF und IRFP450PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4368PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2190 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP450PBF

Vishay

Lifecycle
Active
Stock
6703 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP4368PBF IRFP450PBF
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 195A (Tc) 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.85mOhm @ 195A, 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 19230 pF @ 50 V 2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
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