IRFP4227PBF vs IRFP4768PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4768PBF und IRFP4227PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO247
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRFP4768
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FET Type
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
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Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type
Through Hole
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Packaging
Tube
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
330W (Tc)
OperatingTemperature
-
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
