IRFP4229PBF vs IRFP450

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4229PBF und IRFP450 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4229PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2338 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Part B

IRFP450

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
1863 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP4229PBF IRFP450
Series HEXFET® PowerMESH™ II
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 44A (Tc) 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 310W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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