IRFP4229PBF vs IRFP450PBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4229PBF und IRFP450PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247-3
TO-247-3
Beschreibung
IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
NCHAN, TO-247AC, 500V, 14A IRFP4
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
44A (Tc)
14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
400mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
5V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
150 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4560 pF @ 25 V
2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)
190W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
Series
HEXFET®
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