IRFP460A vs IRFP460

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP460A und IRFP460 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460A

Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
7403 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP460

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
6198 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP460A IRFP460
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 18.4A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 128 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 2980 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 220W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - PowerMESH™ II
Compare Anfrage