IRFP460APBF vs IRFP4332PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4332PBF und IRFP460APBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRFP4332PBF

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2764 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRFP460APBF

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3680 Stückzahl | Vishay Siliconix
Paket TO247 TO-247-3
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Series HEXFET® -
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 250 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 57A (Tc) 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 33mOhm @ 35A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 150 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5860 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 360W (Tc) 280W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : IRFP4332PBF IRFP460APBF

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