IRFP4768PBF vs IRFP4229PBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4768PBF und IRFP4229PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-247-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
250 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
44A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
110 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
310W (Tc)
OperatingTemperature
-
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
Part Status
Last Time Buy
-
Base Product Number
IRFP4768
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
-
Packaging
Tube
-
