IRFP4768PBF vs IRFP4468PBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFP4768PBF und IRFP4468PBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4768PBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7193 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFP4468PBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
4924 Stückzahl
Package
TO-247
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFP4768PBF IRFP4468PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 540 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 19860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number IRFP4768 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10880 pF @ 50 V -
Packaging Tube -
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