IRFS4615TRLPBF vs IRFS4229TRLPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFS4615TRLPBF und IRFS4229TRLPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS4615TRLPBF

Internationaler Gleichrichter

Lifecycle
Active
Stock
2429 Stückzahl
Package
TO-263-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFS4229TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
5622 Stückzahl
Package
TO-263-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFS4615TRLPBF IRFS4229TRLPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 33A (Tc) 45A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 42mOhm @ 21A, 10V 48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V 4560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 144W (Tc) 330W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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