IRFS7430TRLPBF vs IRFS7434TRLPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFS7430TRLPBF und IRFS7434TRLPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS7430TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2835 Stückzahl
Package: D2PAK-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

IRFS7434TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7376 Stückzahl
Package: D2PAK-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification	IRFS7430TRLPBF	IRFS7434TRLPBF
Series	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	195A (Tc)	195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	6V, 10V	6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.2mOhm @ 100A, 10V	1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.9V @ 250µA	3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	460 nC @ 10 V	324 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	14240 pF @ 25 V	10820 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)	294W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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