IRFS7430TRLPBF vs IRFS7530TRLPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRFS7430TRLPBF und IRFS7530TRLPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS7430TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
2835 Stückzahl
Package
D2PAK-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage
Part B

IRFS7530TRLPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
3116 Stückzahl
Package
TO-263-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification IRFS7430TRLPBF IRFS7530TRLPBF
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 195A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.9V @ 250µA 3.7V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V 411 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V 13703 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 375W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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