IRG4PC50UDPBF vs IRG4PC30FDPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PC50UDPBF und IRG4PC30FDPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PC50UDPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 5166 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRG4PC30FDPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 8844 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRG4PC50UDPBF	IRG4PC30FDPBF
Supplier	Infineon Technologies	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	55 A	31 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	220 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2V @ 15V, 27A	1.8V @ 15V, 17A
Power - Max	200 W	100 W
Switching Energy	990µJ (on), 590µJ (off)	630µJ (on), 1.39mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	180 nC	51 nC
Td(on / off) @ 25°C	46ns/140ns	42ns/230ns
Test Condition	480V, 27A, 5Ohm, 15V	480V, 17A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	50 ns	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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