IRG4PF50WPBF vs IRG4PC30FPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PF50WPBF und IRG4PC30FPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PF50WPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7350 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRG4PC30FPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 2436 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRG4PF50WPBF	IRG4PC30FPBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	900 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	51 A	31 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	204 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.7V @ 15V, 28A	1.8V @ 15V, 17A
Power - Max	200 W	100 W
Switching Energy	190µJ (on), 1.06mJ (off)	230µJ (on), 1.18mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	51 nC
Td(on / off) @ 25°C	29ns/110ns	21ns/200ns
Test Condition	720V, 28A, 5Ohm, 15V	480V, 17A, 23Ohm, 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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