IRG4PF50WPBF vs IRG4PC30KD

Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PF50WPBF und IRG4PC30KD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

IRG4PC30KD

Infineon-Technologien

Lifecycle
Active
Stock
7413 Stückzahl
Package
TO-247-3
Series
Transistoren von IGBTs
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Specification IRG4PF50WPBF IRG4PC30KD
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 900 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 51 A 28 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 204 A 58 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 28A 2.7V @ 15V, 16A
Power - Max 200 W 100 W
Switching Energy 190µJ (on), 1.06mJ (off) 600µJ (on), 580µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 67 nC
Td(on / off) @ 25°C 29ns/110ns 60ns/160ns
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) - 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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