IRG4PF50WPBF vs IRG4PF50WDPBF Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PF50WDPBF und IRG4PF50WPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRG4PF50WDPBF

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7688 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRG4PF50WPBF

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7350 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket TO-247-3
Beschreibung IGBT 900V 51A TO-247AC IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900 V -
Current - Collector (Ic) (Max) 51 A -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A -
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) 190µJ (on), 1.06mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 160 nC
Td (on / off) @ 25°C 71ns/150ns -
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number IRG4PF50 -
Current - Collector Pulsed (Icm) 204 A -
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 900 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 51 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 204 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 2.7V @ 15V, 28A
Td(on / off) @ 25°C - 29ns/110ns
Vergleichsmodell : IRG4PF50WDPBF IRG4PF50WPBF

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