IRG4PF50WDPBF
Infineon-Technologien
- Lifecycle
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- Stock
- 7688 Stückzahl
- Series
- Transistoren von IGBTs
Dieser detaillierte Vergleich von IRG4PF50WDPBF und IRG4PH30KPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.
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| Specification | IRG4PF50WDPBF | IRG4PH30KPBF |
|---|---|---|
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900 V | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51 A | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A | - |
| Power - Max | 200 W | 100 W |
| Switching Energy | 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) | 640µJ (on), 920µJ (off) |
| Input Type | Standard | Standard |
| Gate Charge | 160 nC | 53 nC |
| Td (on / off) @ 25°C | 71ns/150ns | - |
| Test Condition | 720V, 28A, 5Ohm, 15V | 960V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| Base Product Number | IRG4PF50 | - |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 204 A | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | - | 1200 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | - | 20 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | - | 40 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | - | 4.2V @ 15V, 10A |
| Td(on / off) @ 25°C | - | 28ns/200ns |