IRGIB15B60KD1P vs IRGIB4610DPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRGIB15B60KD1P und IRGIB4610DPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4013 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRGIB4610DPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 8725 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRGIB15B60KD1P	IRGIB4610DPBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	19 A	10 A
Switching Energy	127µJ (on), 334µJ (off)	122µJ (on), 56µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
IGBT Type	NPT	-
Current - Collector Pulsed(Icm)	38 A	-
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.2V @ 15V, 15A	-
Power - Max	52 W	-
Gate Charge	56 nC	-
Td(on / off) @ 25°C	30ns/173ns	-
Test Condition	400V, 15A, 22Ohm, 15V	-
Reverse Recovery Time (trr)	67 ns	-
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-

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