IRGIB15B60KD1P vs IRGIB6B60KDPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRGIB15B60KD1P und IRGIB6B60KDPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4013 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRGIB6B60KDPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7268 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRGIB15B60KD1P	IRGIB6B60KDPBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	19 A	11 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	38 A	22 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.2V @ 15V, 15A	2.2V @ 15V, 5A
Power - Max	52 W	38 W
Switching Energy	127µJ (on), 334µJ (off)	110µJ (on), 135µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	56 nC	18.2 nC
Td(on / off) @ 25°C	30ns/173ns	25ns/215ns
Test Condition	400V, 15A, 22Ohm, 15V	400V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	67 ns	70 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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