IRGP35B60PDPBF vs IRGP30B120KDPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRGP35B60PDPBF und IRGP30B120KDPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 3801 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

IRGP30B120KDPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 7687 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	IRGP35B60PDPBF	IRGP30B120KDPBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	1200 V
Current - Collector(Ic)(Max)	60 A	60 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.55V @ 15V, 35A	4V @ 15V, 60A
Power - Max	308 W	300 W
Switching Energy	220µJ (on), 215µJ (off)	1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	169 nC
Test Condition	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V	600V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	42 ns	300 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Td(on / off) @ 25°C	26ns/110ns	-

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